Итоги XI Ежегодной научно-технической конференция молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники», АО «ЦНИИ «Электрон» 14-15 апреля 2020 г.
Впервые конференция проводилась в дистанционном режиме.
На конференцию в 2020 г. представлено 17 докладов от 23 участников. АО «ЦНИИ «Электрон» представил 11 работ. Доклады представлены также АО «НПП «Элар» (4 доклада), ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, НИУ “ИТМО”.
Инженеры Курташ В.А. и Егоренков А.А. (АО «ЦНИИ «Электрон») представили 5 докладов.
Заинтересованность в материалах конференции проявили представители АО «НЭВЗ-Керамикс» и АО «РНИИ «Электронстандарт».
Основные направления тематики докладов:
— технические и технологические решения в области совершенствования нанесения тонких слоев,
— совершенствование и разработка новых перспективных технологических процессов,
— исследования и анализ матричных фотоприемников,
— разработки ФПУ на базе крупноформатных ФППЗ,
— разработка новых солнечно-слепых и ИК-фотокатодов на основе полупроводниковых гетероструктур и светодиодов на основе органических композитов,
— рентгеновская трубка с катодом на базе ФЭУ
и др.
Большинство опубликованных докладов вызвали интерес и дискуссию на сайте.
По итогам конференции были выделены следующие доклады:
Первое место
- Курташ В. А., Егоренков А. А. Пути увеличения квантового выхода ИК-фотокатодов в гибридных приборах АО «ЦНИИ «Электрон»/ СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
Вторые места
- Патоков Н.О. Исследование зарядовых свойств пленок оксида алюминия АО «НПП «Элар»
- Нечаев Д.В. Солнечно-слепые фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN:Mg/AlN/c-Al2O3, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
Третьи места
- Рубцова О.М. Усовершенствование и разработка новых перспективных технологических процессов АО «ЦНИИ «Электрон»
- Фрейдинов Д.М. Результаты разработки ФПУ на базе ФППЗ формата 4096×4096 АО «ЦНИИ «Электрон»
- Ларченко А.С. Магнетронное напыление просветляющих покрытий на основе диоксида кремния и диоксида гафния в применении к тонким светочувствительным структурам АО «ЦНИИ «Электрон»