Ионная имплантация является важным технологическим процессом в производстве полупроводниковых приборов. Ее суть состоит во внедрении ускоренных в электромагнитном поле ионов в поверхность полупроводниковой подложки.
В результате легирования примесными атомами можно добиться изменений таких свойств материала, как тип его проводимости, концентрация носителей заряда, кристаллическая структура и т.п.