Приглашаем принять активное участие в XI Ежегодной научно-технической конференции молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники», которая состоится 14-15 апреля 2020 г. в заочном формате
Конференция предполагает участие молодых специалистов не старше 35 лет для обсуждения широкого круга вопросов по следующим основным направлениям:
- твердотельная и вакуумная фотоэлектроника;
- гибридные технологии и приборы;
- оптика и лазеры в современной фотоэлектронике;
- технологии производства приборов вакуумной и твердотельной фотоэлектроники;
- методы и системы измерений параметров твердотельных и вакуумных фоточувствительных приборов;
- маркетинг, экономика и система менеджмента качества на предприятиях фотоэлектроники.
Поступившие Доклады участников будут размещены в данном разделе в период с 14 по 18 апреля 2020г. Все желающие будут иметь возможность обсудить и задать вопросы по данным докладам, обратную связь принимаем по адресу konferenciya2020@niielectron.ru в свободной форме, с указанием ФИО и контакта.
В период с 21 по 22 апреля 2020г. будет проведено заседание конкурсной комиссии по оценке докладов по итогам, которого будет издан приказ о распределении мест с материальным вознаграждением:
- За Первое место – 50 тыс. руб. (Пятьдесят тысяч рублей)
- За Второе место – 30 тыс. руб. (Тридцать тысяч рублей)
- За Третье место – 15 тыс. руб. (Пятнадцать тысяч рублей)
Лучшие доклады по решению комиссии будут рекомендованы к публикации в журнале «Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
Участникам необходимо прислать заявку и доклад в формате А4 word объемом не более 4 листов (шрифт 12) на эл.адрес: konferenciya2020@niielectron.ru до 08 апреля 2020 года.
По всем вопросам обращайтесь к Председателю Совета молодых специалистов АО «ЦНИИ «Электрон» Асессорову Виктору Алексеевичу, номер тел.: (812) 294-49-84.
Опубликованные доклады
Исследование зарядовых свойств пленок оксида алюминия
Докладчик: Патоков Н.О.
Тема: Исследование зарядовых свойств пленок оксида алюминия.
Организация: АО «НПП «Элар»
Переход на магнетронный способ напыления алюминия на МДП структуры, технические и технологические решения
Докладчик: Хандогий Н.В., Соколова Е.В.
Тема: Переход на магнетронный способ напыления алюминия на МДП структуры, технические и технологические решения.
Организация: АО «НПП «Элар»
Солнечно-слепые фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN:Mg/AlN/c-Al2O3, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией
Докладчик: Нечаев Д.В.
Тема: Солнечно-слепые фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN:Mg/AlN/c-Al2O3, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией.
Организация: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
Исследование и анализ структур ФПЗС с применением сканирующего электронного микроскопа Tescan mira 3
Докладчик: Гольтеков А.В..
Тема: Исследование и анализ структур ФПЗС с применением сканирующего электронного микроскопа Tescan mira 3..
Организация: АО «НПП «Элар»
Методы контроля разрешающей способности матричных фотоприемников
Докладчик: Вонти А.О.
Тема: Методы контроля разрешающей способности матричных фотоприемников.
Организация: АО «НПП «Элар»
Создание и исследование гибридных однослойных синих светодиодов на основе перовскит-полимерных композитов
Докладчик: Аношкин С.С.
Тема: Создание и исследование гибридных однослойных синих светодиодов на основе перовскит-полимерных композитов.
Организация: Университет ИТМО
Усовершенствование и разработка новых перспективных технологических процессов
Докладчик: Рубцова О.М.
Тема: Усовершенствование и разработка новых перспективных технологических процессов.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Результаты разработки ФПУ на базе ФППЗ формата 4096×4096
Докладчик: Фрейдинов Д.М.
Тема: Результаты разработки ФПУ на базе ФППЗ формата 4096×4096
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Магнетронное напыление просветляющих покрытий на основе диоксида кремния и диоксида гафния в применении к тонким светочувствительным структурам
Докладчик: Ларченко А.С.
Тема: Магнетронное напыление просветляющих покрытий на основе диоксида кремния и диоксида гафния в применении к тонким светочувствительным структурам.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Оптимизация конструкции управляющего электрода в ИК-фотокатодах
Докладчик: Курташ В. А.
Тема: Оптимизация конструкции управляющего электрода в ИК-фотокатодах.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Исследование квантового выхода ИК-фотокатодов в импульсном режиме
Докладчик: Курташ В. А.
Тема: Исследование квантового выхода ИК-фотокатодов в импульсном режиме.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Пути увеличения квантового выхода ИК-фотокатодов в гибридных приборах
Докладчик: Курташ В. А., Егоренков А. А.
Тема: Пути увеличения квантового выхода ИК-фотокатодов в гибридных приборах.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Исследование оптических свойств структур фотокатода InP/InGaAs/InP
Докладчик: Курташ В. А., Егоренков А. А
Тема: Исследование оптических свойств структур фотокатода InP/InGaAs/InP.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Рентгеновская трубка с катодом на базе фотоэлектронного умножителя
Докладчик: Кулагин А.С.
Тема: Рентгеновская трубка с катодом на базе фотоэлектронного умножителя.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Пути повышения эффективности чувствительной к электронам матрицы ППЗ
Докладчик: Егоренков А. А
Тема: Пути повышения эффективности чувствительной к электронам матрицы ППЗ.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Оптимизация технологии изготовления высококачественных сеточных узлов для электровакуумных приборов
Докладчик: Буренкова Наталья Алексеевна
Тема: Оптимизация технологии изготовления высококачественных сеточных узлов для электровакуумных приборов.
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»
Разработка стенда испытания ПЧД в режиме импульсной засветки
Докладчик: Баталов Константин
Тема: Разработка стенда испытания ПЧД в режиме импульсной засветки
Организация: АО «ЦНИИ «Электрон»